|
 Все новости от 20 декабря 2004 г.
Магнитная память совершенствуется
Toshiba и NEC объединили усилия, чтобы уменьшить потребляемую энергию и размеры элементов MRAM.
Две компании предложили способ уменьшения потребляемой энергии и размеров элементов MRAM, памяти, которая может прийти на смену обычным микросхемам ОЗУ компьютеров (DRAM) и даже флэш-памяти.
По своей форме элементы памяти Toshiba-NEC, обсуждавшиеся на Международной конференции по электронным устройствам в Сан-Франциско, аналогичны прямоугольным элементам памяти, используемым в других чипах MRAM, и отличаются от них лишь округлыми выступами по краям.
«При такой новой конструкции ток записи приблизительно вдвое меньше, чем у существующих MRAM, и частота ошибок при записи ниже», — утверждают компании. Они продемонстрировали также чипы MRAM, в которых один транзистор может управлять четырьмя ячейками памяти. Обычно для каждой ячейки требуется по транзистору. Сокращение числа транзисторов уменьшает размер и потребляемую энергию. Вероятно, что микросхемы памяти станут первым типом микросхем, конструкция которых в ближайшие два десятилетия радикально изменится. В числе конкурентов MRAM память Ovonic и молекулярная память.
На прошлой неделе Toshiba объявила также, что она использует новую технологию, названную перпендикулярной записью, для увеличения емкости своих жестких дисков.
Этот процесс отличается тем, что магнитные кристаллы располагаются на поверхности дисков вертикально, как соломинки в коробке, что повышает плотность упаковки битов.
 Предыдущие публикации:
В продолжение темы:
 | чукча
27 Dec 2004 6:53 PM |
| Бред! Особенно кайфово про "скругленные края" :)) |
|
| критик
21 Dec 2005 6:53 PM |
"На прошлой неделе Toshiba объявила также, что она использует новую технологию, названную перпендикулярной записью, для увеличения емкости своих жестких дисков"
У нас эту "новую технологию" ещё в техникуме преподавали |
|
|
