|
 Все новости от 10 февраля 2005 г.
Intel участвует в создании малопотребляющего транзистора
Поиски замены кремниевому транзистору продолжаются: Intel и европейская компания Qinetiq создали образец, который потребляет гораздо меньше энергии и работает лучше транзисторов, применяемых в современных микросхемах.
После двух лет совместных исследований компании объявили о создании транзистора с «квантовой ямой» из антимонида индия, полученного Qinetiq. Этот материал представляет собой так называемое соединение III-V, что означает, что два его элемента находятся в третьей и пятой колонках Периодической таблицы Менделеева. Соединения III-V уже применяются в некоторых микросхемах для аппаратуры связи.
Транзистор с квантовой ямой существенно отличается от существующих транзисторов тем, что его состояния определяются не электронным переходом, а состоянием электронов.
Компании утверждают, что экспериментальные транзисторы потребляют в десять раз меньше энергии, чем современные, при том же быстродействии — или работают втрое быстрее при той же потребляемой мощности.
«Экспериментальные результаты наших совместных исследований с Qinetiq демонстрируют, что антимонид индия — многообещающий материал для потенциальной интеграции в будущие транзисторы», — говорится в заявлении директора отделения технологии и производства Intel по исследованию компонентов Кена Дэвида.
Университеты и производители микросхем прилагают все больше усилий к поискам замены кремниевым транзисторам в логических микросхемах. В продолжение трех последних десятилетий размеры кремниевого транзистора неуклонно сжимались, но этот процесс подошел к естественному пределу.
Ширина некоторых деталей транзистора уже составляет всего несколько атомов, к тому же при малых размерах транзистора возрастает ток утечки, что приводит к проблемам с тепловыделением и сроком службы батарей.
Исследователи говорят, что лет через десять начнут появляться гибридные чипы, в которых кремний сочетается с альтернативными материалами, а в 2020 годы микросхемы станут полностью изготавливаться из новых материалов.
Когда эти альтернативы станут реальностью и что они будут из себя представлять, остается предметом горячих споров. Ученые из Hewlett-Packard предлагают радикальную замену транзисторам, называемую «поперечными защелками». Они утверждают, что гибридные чипы могут появиться уже в 2011 году. Другие, такие как Суньлин Чоу, генеральный менеджер отделения технологии и производственных процессов Intel, уверены, что к этому времени индустрия успеет лишь изучить вероятные альтернативы.
Тем не менее, Intel анализирует все возможности. Как сообщил Чоу на пресс-конференции на этой неделе, компания, как и другие, экспериментирует с нанопроводниками и нанотрубками в составе транзисторов.
В число других перспективных идей входят спинтроника, наука об управлении спином электронов, и устройства «с изменением фазы», в которых данные записываются путем изменения физического состояния носителя.
 Предыдущие публикации:
В продолжение темы:
| 
