На главную страницу AlgoNet В сотрудничестве с ZDNet
АРХИВ СТАТЕЙ 2002-11-4 на главную / новости от 2002-11-4
AlgoNet.ru
поиск

 

Место для Вашей рекламы!

 

Все новости от 4 ноября 2002 г.

Транзистор IBM работает на частоте 350 ГГц

В понедельник IBM представит новую конструкцию транзистора для микросхем беспроводной связи, которая обещает обеспечить достаточную мощность для создания сетей будущего, способных изменить подход людей к использованию беспроводных сетей на работе и дома.

Новая конструкция транзистора, основанная на кремний-германиевой (SiGe) технологии, обеспечит трехкратное повышение быстродействия. Отделение микроэлектроники IBM подробно расскажет о деталях этой конструкции на международной конференции International Electron Devices Meeting (IEDM), которая состоится в декабре в Сан-Франциско.

Новый транзистор IBM с рабочей частотой 350 ГГц позволит обеспечить тактовую частоту коммуникационных чипов примерно в 150 ГГц и скорость передачи данных в сотни гигабит в секунду. Этого достаточно, чтобы передавать, например, высококачественное видео от телевизионного адаптера на экран высокого разрешения. По тактовой частоте такие чипы будут в четыре-пять раз быстрее самых быстродействующих микросхем, применяемых сегодня в беспроводных локальных сетях и в домашних сетях, а энергии они будут потреблять примерно на 90% меньше.

Технология SiGe предусматривает включение атомов германия в разные места кристаллической решетки кремния. Это облегчает прохождение потока электронов через транзистор, что можно использовать для повышения быстродействия или экономии энергии. В остальном производственный процесс не отличается от процесса изготовления обычных кремниевых микросхем, что при массовом производстве делает его относительно недорогим.

По словам представителей IBM, чипы с новым 350-ГГц транзистором начнут появляться к 2005-2006 году. В июне 2001 года IBM представила транзистор с рабочей частотой 210 ГГц, а чипы на его основе должны появиться на рынке в конце будущего или в начале 2004 года.

SiGe с изюминкой
В 350-ГГц транзисторе используется не обычный кремний-германий, а новая структура, еще больше повышающая производительность, — IBM расскажет о ней на конференции. «Разработка нового транзистора весьма важна для нас не только тем, что она позволила нам достичь такого уровня быстродействия, но и тем, что эту структуру можно совершенствовать и дальше», — сказал директор по развитию бизнеса IBM Technology Group Рон Зойчер (Ron Soicher). По его словам, будущие чипы могут найти применение не только в высокоскоростных беспроводных сетях, но и в системах противоаварийного радара для автомобилей или в сотовых телефонах двойного назначения, способных работать как в глобальной, так и в локальной сети.

Между тем аналитики отмечают, что новый транзистор IBM дает компании преимущество в сфере беспроводного коммуникационного оборудования. На данном этапе Intel, один из главных конкурентов IBM, похоже, сосредоточилась на более медленных приложениях, говорит аналитик Envisioneering Ричард Доэрти (Richard Doherty). Он прогнозирует, что со временем Intel, Fujitsu и другие производители микросхем пойдут по пути IBM и создадут аналогичные транзисторы.

«IBM продолжает продвигать вперед технологию SiGe. Мы поддерживаем очень быстрый темп инноваций», — сказал Зойчер. 

 Предыдущие публикации:
2002-09-05   Intel строит грандиозные нанопланы
2002-09-11   Многозатворные транзисторы: AMD ставит вопрос ребром
2002-09-30   IBM нашла новый способ изготовления нанотрубок
 В продолжение темы:
2002-11-12   IBM строит 3D-микросхемы новой конструкции
2002-12-06   «Растянутый кремний» должен вытянуть чипы
2002-12-09   IBM представит сверхминиатюрный транзистор

 

← октябрь 2002 1  4  5  6  10  11  12  13  14 декабрь 2002 →
Реклама!
 

 

Место для Вашей рекламы!