|
 Все новости от 11 сентября 2002 г.
Многозатворные транзисторы: AMD ставит вопрос ребром
Присоединившись к Intel и IBM, AMD сообщила о создании транзистора нового типа с двумя затворами, которые обеспечат основу для дальнейшего повышения быстродействия и экономичности процессоров.
Компания Advanced Micro Devices изготовила в своей лаборатории высокопроизводительные транзисторы нового типа — с двумя затворами. Эта конструкция позволяет удвоить ток, протекающий через транзистор, подобно тому, как дополнительная полоса движения увеличивает пропускную способность автомагистрали.
Инженеры IBM, Intel, а теперь и AMD в один голос утверждают, что полевые транзисторы с несколькими затворами, выполненные по так называемой технологии Fin Field Effect Transistor (Fin-Fet),
— ключ к дальнейшему повышению быстродействия микропроцессоров. Эта конструкция может использоваться и для создания экономичных микросхем, рассчитанных на применение в устройствах с автономным питанием.
К тому же новая конструкция транзисторов позволяет уменьшить их размеры, так что появится возможность разместить до 1 млрд ключей на той же площади кристалла, которая сейчас вмещает 100 млн транзисторов.
Fin-Fet означает введение в конструкцию транзистора тонкого вертикального ребра из кремния, которое уменьшает ток утечки, когда транзистор находится в «запертом» состоянии. В остальном технология изготовления транзисторов остается прежней, что позволяет довольно быстро наладить их производство.
Микросхемы на базе новых транзисторов могут появиться в системах через 4-10 лет в зависимости от планов компаний.
В IBM уже изготовили микросхему статического ОЗУ на базе транзисторов Fin-Fet с двумя затворами. Инженеры говорят, что их массовый выпуск можно будет наладить уже в 2006 году. Дополнительные подробности IBM обещает сообщить в декабре.
Тем временем Intel рассказывает о планах, связанных с многозатворными транзисторами, на проходящей на этой неделе конференции Intel Developer Forum.
AMD не сообщает, как именно она собирается использовать новые транзисторы, разработанные совместно с Калифорнийским университетом в Беркли и компанией Semiconductor Research. AMD и Калифорнийский университет представят документацию по новым транзисторам в декабре на конференции International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско.
 Предыдущие публикации:
В продолжение темы:
| 
