Все новости от 14 марта 2005 г.

Технология получения пластин из нитрида галлия на изоляторе

Компания Soitec объявила о том, что она разработала технологию Smart Cut получения пластин из нитрида галлия (GaN) на изоляторе. Это достижение не только открывает путь к созданию светодиодов (LED) голубого и белого цвета свечения, но и позволяет получать высокоэффективные полупроводниковые приборы радиочастотного диапазона (RF).

Работы выполнялись совместно с фирмой Picogiga International, причем усилия лаборатории Smart Cut Enabling Application Laboratory (SCEALAB) компании Soitec сосредотачивались на технологии получения и производства сложных структур из полупроводниковых материалов.

Разработанная технология позволяет отделить тонкий, выращенный эпитаксиальным способом слой нитрида галлия (GaN) от высококачественной пластины-донора и перенести его на пластину-носитель, в результате чего получается пластина из монокристалла GaN на подложке из изолятора.

В процессе разработки находятся технологии получения пластин кремния на поликристаллическом карбиде (SoPSiC), карбида кремния на изоляторе (SiCOI) и карбида кремния на поликристаллическом карбиде кремния (SiCopSiC).

А. Л.