|
 Все новости от 22 сентября 2004 г.
Samsung следует закону Хвана
На этой неделе компания Samsung Electronics продемонстрировала два прототипа микросхем памяти, которые доказывают способность компании продолжать сокращение размеров своих чипов.
В понедельник корейский электронный гигант представил 8-Гбит микросхему флеш-памяти на базе 60-нм технологического процесса, а также 2-Гбит микросхему DDR DRAM на основе 80-нм технологии.
Оба чипа при меньших размерах вмещают гораздо больше данных, чем современные микросхемы, что должно сделать их более дешевыми и мощными. Флеш-чип предназначен для конструкторов потребительской электроники и позволяет упаковать до 16 Гбайт данных на одной карте памяти. Эта емкость соответствует 16 часам видео DVD-качества или 4000 аудиофайлов МР3 (по 5 минут на песню). Современные флеш-карты вмещают максимум 4 Гбайт.
Однако оба чипа — лишь прототипы. Только в этом году компании приступили к производству микросхем на базе 90-нм технологического процесса. 80-нм чипы появятся не раньше, чем через год, а 65-нм дебютируют в лучшем случае в конце 2005 года.
И все же полученный результат доказывает, что Samsung, лидирующая на обоих рынках флеш-памяти и DRAM, продолжает толкать производство вперед, так же как Intel совершенствует свой производственный процесс, чтобы доминировать на рынке микропроцессоров. В целом Samsung стала вторым по величине производителем микросхем после Intel и энергично конкурирует с Intel на рынке флеш-памяти.
Кроме того, Samsung старается наращивать производство процессоров для карманных устройств, что также накаляет конкурентную борьбу между двумя компаниями.
Высокой плотности флеш-чипа удалось достичь отчасти благодаря использованию трехмерной структуры транзисторных элементов. Трехмерные конструкции применяют и другие компании, такие как Matrix Semiconductor в США.
Плотность флеш-микросхем удваивается каждый год, начиная с 1999 года, отмечает СЕО полупроводникового отделения Samsung Electronics Чхан Гью Хван. В самой Samsung способность так быстро увеличивать плотность называют «законом Хвана».
По оценке Хвана, мировой рынок полупроводников в будущем году должен вырасти чуть меньше, чем на 10% после примерно 20%-го прироста в 2004 году.
На прошлой неделе Morgan Stanley понизил прогноз роста полупроводниковой индустрии на 2005 год до 8-12% с предыдущей оценки в 13-18%.
 Предыдущие публикации:
В продолжение темы:
| 
