Все новости от 3 апреля 2003 г. AMD совершенствует транзистор
Компания Advanced Micro Devices внесла два усовершенствования в конструкцию транзистора, которые ведут к повышению производительности микропроцессоров.
В среду AMD продемонстрировала новый тип транзистора Fully Depleted Silicon-on-Insulator (полностью истощенный кремний на изоляторе).
Представители компании утверждают, что его быстродействие на целых 30% превышает лучшие результаты, известные по современным публикациям.
В тот же день AMD представила новый транзистор на основе растянутого кремния и с металлическим затвором. Эта технология демонстрирует повышение быстродействия на 20-25% по сравнению с обычными транзисторами на основе растянутого кремния.
В современных полевых транзисторах затвор, управляющий потоком электронов, изготавливается из двуокиси кремния. AMD не сообщает, с каким металлом она экспериментирует, но в среде ученых обсуждались конструкции с применением алюминия, никеля и титана.
AMD обещает подробнее рассказать о новых конструкциях транзисторов на конференции VLSI Symposium, которая состоится в июне в Киото (Япония).
«Оставаясь на передовом рубеже исследований в области транзисторов с повышенным быстродействием, меньшим током утечки и пониженным напряжением питания, мы обеспечиваем конструкторов AMD необходимыми элементами для создания решений, необходимых заказчикам», — говорится в заявлении вице-президента по развитию технологических процессов AMD Крейга Сандера.
Однако не следует рассчитывать на скорое появление транзисторов новой конструкции, разработка которых еще находится на этапе исследований и испытаний, в микропроцессорах AMD. Компания предполагает довести их до стадии производства только во второй половине десятилетия.
Предыдущие публикации:
В продолжение темы:
|