На главную страницу AlgoNet В сотрудничестве с ZDNet
АРХИВ СТАТЕЙ 2002-7-12 на главную / новости от 2002-7-12
AlgoNet.ru
поиск

 

Место для Вашей рекламы!

 

Все новости от 12 июля 2002 г.

Micron опробовала память нового поколения

На этой неделе производитель микросхем памяти Micron продемонстрировал первую систему с памятью нового типа DDR-II SDRAM.

Считается, что DDR-II неизбежно придет на смену более медленной технологии DDR-I. Широкополосный доступ к интернету, 3D-графика, беспроводные коммуникации, высокоскоростные сети и повышение тактовой частоты процессоров — все это создает потребность в памяти с более высокой пропускной способностью.

Micron не первая компания, приступившая к производству памяти DDR-II. В конце мая Samsung объявила о выпуске модулей памяти, использующих микросхемы DDR-II SDRAM 512 Мбайт; массовое производство таких микросхем она обещает наладить в конце 2003 года. Хотя емкость чипов DDR-II от Micron всего 256 Мбайт, создание действующей системы имеет важное значение для выпуска чипсетов и системных плат, поддерживающих новую память. «Это первый настольный компьютер с памятью DDR-II», — заявил директор Micron по передовым технологиям Терри Ли (Terry Lee), указывая на опытную систему в большом прозрачном акриловом корпусе. Так как чипсетов, поддерживающих память DDR-II, еще нет, модули памяти в этой системе установлены на специальной расширительной плате PCI. «Это позволяет проверить, насколько надежна система и какой у нас запас времени», — пояснил Ли, добавив, что опытная система будет предоставлена и заказчикам.

Если какая-нибудь компания захочет выпускать аппаратуру, поддерживающую DDR-II, то ей придется решить ряд технических задач, чтобы адаптировать ее к высокому быстродействию и низкому уровню напряжения питания, требуемому спецификацией новой памяти. DDR-II позволяет передавать данные со скоростью 400 Мбит/с по 100-МГц шине и со скоростью до 600 Мбит/с при повышении тактовой частоты шины до 150 МГц — именно такое решение планируется для высокоскоростных сетевых приложений. Демонстрационная система Micron передает данные со скоростью 533 Мбит/с.

Напряжение питания систем DDR-II также намного ниже, чем предписывают современные стандарты: оно понижено с 2,5 до 1,8 В. Это означает, что сигналы намного больше подвержены помехам и задержкам. По словам Ли, пониженное напряжение питания необходимо, чтобы память лучше взаимодействовала с чипсетом. Среди способов повышения качества сигнала, которые применяет компания, установка на линии связи оконечных нагрузок вроде тех, что подключаются к концам последовательных цепей SCSI. Такие нагрузки появились в модулях памяти DDR-I на базе спецификации DDR266 в виде впаянных в модули памяти резисторов; в памяти DDR-II оконечные нагрузки переносятся на кристалл, что еще более повышает качество сигнала и в перспективе позволяет уменьшить стоимость модулей.

Ли сказал, что к концу 2002 года у Micron будет система со слотом DDR-II в материнской плате. Подтверждая оценку Samsung, Ли прогнозирует, что коммерческие системы с памятью DDR-II появятся во втором полугодии 2003 года и поступят в широкую продажу в начале 2004 года.

Впрочем, еще не все проблемы стандарта решены. «Стандарт на эту память по существу заморожен, — сказал Ли. — Но продолжаются споры о том, как выполнять четырехслотовые банки памяти для серверов». В ПК, вероятно, будет всего два слота памяти DDR-II; при 512-Мбайт модулях это дает 1 Гбайт памяти. 

 Предыдущие публикации:
2002-02-26   Rambus усовершенствовала элементы RDRAM
2002-03-20   Samsung рискует собственной памятью
 В продолжение темы:
2002-07-15   Sony уплотняет Memory Stick
2002-10-08   ATI придает ускорение памяти DDR

 

← июнь 2002 8  9  10  11  12  15  16  17  18 август 2002 →
Реклама!
 

 

Место для Вашей рекламы!