|
 Все новости от 17 апреля 2007 г.
Intel продемонстрирует альтернативу памяти DRAM
На конференции Intel Developer Forum (IDF), которая открывается во вторник в Пекине, главный технолог Intel Джастин Раттнер планирует провести первую публичную демонстрацию технологии PRAM (phase-change RAM).
Это разновидность энергонезависимой памяти, разработанная Intel и несколькими другими компаниями. Ее прочат взамен флэш-памяти, а возможно и DRAM. «Память с изменением фазы выглядит многообещающе, и во втором полугодии мы надеемся начать производство этих элементов», — сказал Раттнер в интервью накануне IDF.
PRAM основывается на халькогенидном стекле, которое чувствительно к нагреву электрическим током. Он изменяет физическую структуру стекла, переводя его из кристаллического состояния в аморфное. В разных состояниях стекло имеет разное электрическое сопротивление, что можно использовать для записи двоичной информации.
PRAM обещает лучшую скорость чтения-записи и долговечность по сравнению с флэш-памятью.
Флэш-память используется в сотовых телефонах и других мобильных устройствах, но может применяться и в ПК. Флэш-технология лежит в основе кэш-памяти Intel Robson. PRAM способна заменить эту технологию, а возможно, будет играть еще более важную роль. «В конечном итоге мы должны ответить на вопрос: способна ли память с изменением фазы заменить DRAM? Судя по характеристикам производительности, похоже, что да», — сказал Раттнер.
Но даже если PRAM составит практичную альтернативу DRAM, это не означает, что она вытеснит эту технологию. «Не исключено, что появится новый уровень иерархии. Или DRAM перейдет на новый уровень иерархии кэш-памяти, а память с изменением фазы станет, по существу, главной памятью, как мы ее представляем сегодня», — предположил Раттнер.  В продолжение темы:
 | Uepapx
17 Apr 2007 11:16 AM |
| "Но даже если DRAM составит практичную альтернативу DRAM" - редакторы есть вообще? |
|
|
