Все новости от 20 августа 2007 г.

IBM выбирает новое направление в области магнитной памяти

Принцип работы данной технологии основан на изменении электрического сопротивления при изменении направления магнитного поля. Согласно плану, в четырехлетний срок компании должны изготовить прототип 65-нм микросхемы STT-RAM.

Grandis, стартап из Кремниевой долины, уже пытается коммерциализовать STT-RAM, выпуская опытные партии и надеясь выйти на рынок в конце будущего года.

До сих пор IBM работала над менее экзотическим типом магнитной памяти, MRAM. Однако при попытке уменьшить размеры транзисторов в микросхемах этого типа возникли непреодолимые трудности. «Приходится повышать напряженность магнитного поля и увеличивать продолжительность записи, а это становится непрактично, — пояснил старший менеджер IBM по исследованиям в области энергонезависимой памяти Билл Галлахер. — Для 65-нм размеров нужно искать новые механизмы записи информации».

Вероятные кандидаты на роль энергонезависимой памяти нового типа — STT-RAM и память с изменением фазового состояния. Последняя обеспечивает более высокую плотность записи, но STT-RAM быстрее и долговечнее. В памяти с изменением фазового состояния биты представляют собой кристаллический материал, который при точечном нагревании до сотен градусов переходит в аморфное состояние.

Intel интенсивно сотрудничала с STMicroelectronics в области технологии памяти с изменением фазового состояния. Информированные источники утверждают, что их совместное предприятие, Numonyx, скоро объявит о планах вывода такой памяти на рынок (данная технология обсуждается с 1970 года, но до стадии коммерческого производства не дошла до сих пор).

Почему IBM занимается элементами памяти, если получает доход главным образом от услуг и серверов? Big Blue производит также микросхемы и лицензирует интеллектуальную собственность. По словам Галлахера, разработка энергонезависимой памяти даст ей необходимый ингредиент для выпуска «систем на кристалле». 

 Предыдущие публикации:

 В продолжение темы: