Все новости от 12 ноября 2004 г.

Энергонезависимая память FRAM компании Fujitsu

Компания Fujitsu Microelectronics Europe начала выпуск энергонезависимой ферроэлектрической памяти (ferroelectric memory – FRAM) емкостью 1 Мбит, отличающейся высокой скоростью выполнения операций чтения-записи и небольшим энергопотреблением.

Первую микросхему со встроенной памятью FRAM компания выпустила в 1999-м, и в этом же году она выпустила на рынок появилась энергонезависимую память емкостью 256 кбит.

В настоящее время по технологии 0,35 нм 1T1C выпускаются две микросхемы памяти FRAM емкостью 1 Мбит -- MB85R1001 и MB85R1002; первая из которых имеет шину данных 8, а вторая – 16 бит.

Применение технологии 1T1C в конструкции ячейки памяти позволило удвоить емкость кристалла по сравнению с ячейкой традиционной 2T2C-технологии при той же площади кремния.

Технические характеристики памяти FRAM емкостью 1 Мбит

Характеристика	MB85R1001	MB85R1002
Организация памяти	128 K 8-разрядных слов	64K 16-разрядных слов
Напряжение питания	+3,0 --3,6 В -20…+85°C 100 нс 250 нс   Больше  10 лет Более 10 млрд. циклов чтения-записи
Рабочая температура
Время чтения
Время цикла чтения-записи
Продолжительность хранения данных
Долговечность

А. Л.