|
 Все новости от 7 февраля 2000 г.
Разработка технологий выпуска микросхем требует объединения мировых сил
Об объединении усилий в разработке новейших технологий производства полупроводников объявили в конце января компании IBM, Infineon Technologies AG и UMC. Первоначально договор рассчитан на три года и предусматривает совместную работу ученых всех трех компаний в полупроводниковом научно-исследовательском центре IBM (Semiconductor Research and Development Center, SRDC) в США. Целью разработок является создание 0,13- и 0,10-микронных технологий выпуска логических чипов. Каждый партнер обладает правом самостоятельно внедрять полученные результаты на своих производствах.
Сотрудничество между IBM и Infineon - дочерним предприятием немецкой компании Siemens - продолжается уже несколько лет. К его составляющим относятся работы в рамках "гигабитного соглашения" (создание элементов памяти емкостью 1 Гбит), совершенствование технологий производства логических чипов с медными межсоединениями, встроенной памяти DRAM (embedded DRAM) и некоторых других типов микросхем. Принятие в этот альянс компании UMC - второго по величине тайваньского производителя полупроводников - должно дать исследованиям новый импульс.
Кроме того, всего за неделю до заключения тройственного соглашения Infineon присоединилась к другому могущественному союзу, куда входят такие гранды отрасли, как Intel, Hyundai, Micron Technology, NEC и Samsung. Целью этого объединения является разработка технологии Advanced DRAM Technology (ADT), нацеленной на создание унифицированной базисной архитектуры, которая позволит существенно снизить стоимость производства микросхем памяти.
Исследования по 0,13-микронной технологии уже продвинулись до такой степени, что во II квартале 2000 г. предполагается опубликовать основные параметры, необходимые потенциальным клиентам, заинтересованным в скорейшем начале работ по дизайну собственных продуктов. Как сообщает Taiwan News, компании IBM и UMC планируют построить на острове совместную фабрику по выпуску на основе 0,15- и 0,13-микронных технологий кремниевых пластин диаметром 300 мм.
|
