|
 Все новости от 1 октября 2003 г.
IBM представила технологию низкопотребляющих чипов
Во вторник IBM анонсировала конструкцию, которая, как утверждает компания, открывает путь к созданию микросхем для сотовых телефонов, потребляющих впятеро меньше энергии, чем современные микропроцессоры.
Чтобы получить такие чипы, компания объединяет достижения в сфере технологии производства, которые прежде считались несовместимыми. В новом процессе IBM получает биполярные кремний-германиевые транзисторы на специальной тонкой подложке «кремний на изоляторе» (SOI). Прежде SOI применялась главным образом для изготовления традиционных чипов КМОП на основе комплементарной технологии «металл-окисел-полупроводник».
Новый метод позволит конструкторам сочетать гораздо больше схем разного типа на одной подложке, чем это было возможно до сих пор, утверждает сотрудник исследовательского центра IBM Watson Research Lab Тэк Нинг.
«Мы призываем конструкторов микросхем заняться созданием принципиально новых изделий», — сказал он.
IBM уверяет, что чипы, изготовленные по новому методу, начнут сходить с конвейеров производственных линий, возможно, лет через пять. Со временем новая конструкция может найти применение в самых разных областях, таких как интеллектуальные системы управления автомобилем, системы предупреждения столкновений, или для повышения вычислительной мощности сотовых телефонов с целью, скажем, воспроизведения видео.
Ключевой задачей для Intel, IBM и других производителей микропроцессоров является совершенствование механизмов управления потребляемой энергией. Хотя давняя война процессоров для ПК велась главным образом путем наращивания тактовой частоты до новых и новых гигагерцевых отметок, индустрия микропроцессоров сосредоточилась и на том, как создать чипы с умеренной производительностью, но с гораздо меньшим энергопотреблением.
Например, в начале сентября компания Advanced Micro Devices продемонстрировала экспериментальный транзистор с тремя ключами. В июне о планах создания аналогичной технологии объявила Intel.
IBM рассказала о своей конструкции на конференции 2003 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting в Тулузе (Франция).
 Предыдущие публикации:
В продолжение темы:
|
