На главную страницу AlgoNet В сотрудничестве с ZDNet
АРХИВ СТАТЕЙ 2007-1-28 на главную / новости от 2007-1-28
AlgoNet.ru
поиск

 

Место для Вашей рекламы!

 

Все новости от 28 января 2007 г.

Производители процессоров вступают в эру металлов

Индустрия микропроцессоров меняет конструкцию транзисторов, чтобы начать новый виток гонки за быстродействием.

Почти 40 лет производители микросхем изготавливали затворы транзисторных ключей из кремния. Теперь же Intel, IBM и AMD планируют использовать для этой цели новые материалы, которые значительно уменьшат ток утечки и позволят повысить производительность чипов.

Кремниевую долину переименовывать не придется, так как основным материалом для микросхем остается кремний. Однако затворы транзисторов становятся металлическими, а для тонкой изолирующей прослойки между затвором и каналом, так называемого «подзатворного оксида», тоже будут применяться новые материалы.

Intel планирует внести эти изменения в семейство процессоров Penryn, которое планируется выпустить в этом году, одновременно с переходом на 45-нм технологию. В четверг компания продемонстрировала группе журналистов и аналитиков серверы, построенные на опытных образцах этих чипов.

IBM и AMD при переходе на 45-нм технологический процесс в 2008 году тоже планируют использовать металлические затворы и подзатворные оксиды с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k). Компании заключили соглашение о сотрудничестве в сфере разработки новых методов производства полупроводников.

High-k диэлектрики позволяют сделать подзатворный слой толще, уменьшив тем самым ток утечки транзистора. Однако они взаимодействуют с затвором из поликремния, что препятствует достижению высокого быстродействия. Для решения этой проблемы затвор выполняется из металла. Главная сложность заключается в выборе правильного сочетания металлов и диэлектрика. Intel изготавливает диэлектрик на основе гафния. Она уже опробовала металлические ключи с high-k диэлектриком в микросхемах памяти SRAM (static RAM), которые Intel производят по 45-нм технологии. Пленка из диэлектрика создается методом атомного напыления —материал наносится последовательными слоями толщиной всего в один атом.

AMD и IBM планируют использовать для изготовления своих процессоров так называемый метод иммерсионной литографии, при котором дорожки наносятся на пластину, когда она погружена в дистиллированную воду. Intel пока придерживается существующей технологии, но, возможно, воспользуется иммерсионной литографией в будущем для изготовления 32-нм чипов.


 
 Предыдущие публикации:
2006-11-30   Intel завершает разработку процессора Penryn
2006-12-05   AMD приступила к выпуску 65-нм процессоров
2007-01-16   НР пытается обойти закон Мура
 В продолжение темы:
2007-01-31   Intel-AMD: война цен разгорается с новой силой
2007-02-14   IBM утроит емкость кэш-памяти в будущих чипах
2007-03-01   Будущее электроники — за транзисторами из графена?
2007-03-29   В 2008 году Intel добавит в процессоры многопоточность и контроллер памяти
2007-04-17   Процессор Intel продемонстрировал производительность 2 терафлопса
2007-05-04   IBM совершенствует чипы с применением технологии самосборки
2007-10-25   У Intel вступает в строй новый завод за $3 млрд
2007-12-11   IBM и партнеры совершили прорыв в области технологии чипов
2008-03-26   Intel выпустила малопотребляющие процессоры Xeon

 

← декабрь 2006 22  23  24  25  26  28  29  30  31 февраль 2007 →
Реклама!
 

 

Место для Вашей рекламы!