Все новости от 14 июня 2005 г.

Samsung представила 90-нм память XDR DRAM емкостью 512 Мбит

Компания Samsung Electronics представила 512-мегабитный образец памяти XDR (eXtreme Data Rate) DRAM, произведенный по 90-нм технологии. Максимальная скорость обмена с этой памятью составляет 9,6 Гб/с, которая в 12 раз превосходит скорость памяти DDR400 и в 6 раз — RDRAM (PC800). Применение усовершенствованной 90-нм технологии позволило достичь пиковой производительности 4,8 Гб/с при напряжении питания 1,8 В.

Память eXtreme Data Rate DRAM в первую очередь предназначена для применения в устройствах, обрабатывающих с высокой скоростью графические данные больших объемов, -- таких, как игровые консоли последнего поколения, цифровое телевидение, серверы и рабочие станции класа high-end.

Архитектура памяти XDR DRAM базируется на стандарте взаимодействия с памятью XDR, разработанном компанией Rambus. Используя этот стандарт, можно создавать микросхемы памяти, удовлетворяющие различным требованиям к вводу-выводу данных.

Согласно информации исследовательской компании IDC, рынок памяти XDR DRAM будет стабильно расти в течение следующих четырех лет (2006—2009 гг.) и достигнет уровня 800 млн. шт. условных модулей, эквивалентных 256-Мбит чипам.

А. Л.