Все новости от 13 сентября 2004 г.

Принята спецификация на память PSRAM

Шестого сентября компании Toshiba, NEC Electronics и Fujitsu Limited объявили, что они согласовали стандарт на интерфейс псевдостатической памяти (Pseudo Static Random Access Memory -- PSRAM).

Он базируется на стандарте COSMORAM (Common Specifications for Mobile RAM) версии 3.

Каждая компания будет производить и продавать эту память самостоятельно. Предполагается, что ее массовое производство начнется в марте следующего года.

Первоначально стандарт для памяти многокристальной этажерочной конструкции был предложен в сентябре 1998 г. -- тогда он касался как флэш-памяти, так и SRAM. В марте 2002-го был принят общий стандарт на интерфейс для страничного режима памяти PSRAM и памяти этажерочной конструкции (MCP), а в феврале 2003-го -- для пакетного режима работы памяти PSRAM и MCP.

В последнюю версию стандарта COSMORAM включено описание:

• расширения шины данных;

• мультиплексирования адреса;

• таблицы истинности, которая определяет, каким образом режим работы памяти должен быть связан с внешними сигналами, задавшими этот режим;

• регистра режима. Это внутренний регистр памяти, содержимое которого определяет режим работы памяти. Записывается извне;

• выбора ширины шин драйвера;

• способа чтения регистра режима.

Стандартизация обеспечит совместимость с существующими продуктами и в то же время позволит выпускать более быструю и удобную в применении память.

А. Л.