|
 Все новости от 20 августа 2006 г.
Нанотехнология ускоряет работу транзистора
«Транзистор с баллистическим отклонением» может проложить путь к терагерцевым процессорам.
Ученые из Рочестерского университета работают над транзистором нового типа, который обещает гораздо более высокую производительность по сравнению с существующими конструкциями.
В так называемом «транзисторе с баллистическим отклонением» (ballistic deflection transistor, BDT) отдельный электрон пропускается через поляризованный затвор и отражается от клиновидного препятствия. Электрическое поле затвора отклоняет электрон к одной или другой стороне канала, так что он отталкивается от правой или от левой грани клина и отражаются вправо или влево, что соответствует логическому нулю или логической единице.
Схема описанного механизма представлена здесь.
Университет получил от Американского фонда науки $1,1 млн на продолжение работы над BDT.
В современных транзисторах используется поток электронов в кремнии, управляемый электрическим зарядом, воздействие которого приводит к статистически значимым изменениям. Так как баллистический метод применяется к отдельным электронам, каждый транзистор может занимать гораздо меньшее пространство и работать гораздо быстрее.
Группа из Рочестерского университета считает, что процессор, изготовленный из BDT-элементов, сможет работать с терагерцевыми скоростями, то есть в тысячи раз быстрее современных чипов, пишет Physorg.com.
 Предыдущие публикации:
| 
