Все новости от 20 ноября 2003 г.

Intel готовит новые материалы для поддержания на плаву “закона Мура”

Исследователи Intel создали транзисторы с рекордными параметрами производительности. Для этого были использованы новый диэлектрик затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и новый сплав для затвора транзистора.

По сравнению с диоксидом кремния, применяемым в полупроводниковом производстве три последних десятилетия, указанные материалы позволяют снизить ток утечки более чем в 100 раз.

“В полупроводниковой отрасли долгие годы считалось, что если мы так и будем использовать сегодняшние транзисторные материалы и структуры, то тепловыделение и токи утечки станут фундаментальной преградой для дальнейшего наращивания степени интеграции в соответствии с законом Мура, – заявил старший вице-президент корпорации Intel и генеральный менеджер подразделения Technology and Manufacturing Group Сунлин Чжоу. – Перед отраслью давно стоит задача поиска и внедрения в технологию новых материалов взамен диоксида кремния, который уже подошел к пределу своих возможностей”.

В Intel толщину слоя диэлектрика затвора из диоксида кремния удалось довести до 1,2 нанометра, то есть всего до пяти атомных слоев. Однако по мере уменьшения его толщины возрастает ток утечки, неизбежно приводя к потерям.

Для решения этой проблемы корпорация намерена заменить используемый в настоящее время диоксид кремния более толстым слоем диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью.

А поскольку новый диэлектрик несовместим с традиционными материалами затворов, на повестку дня встала задача подбора подходящего для этой цели материала, которая также была решена.

Указанные материалы вполне пригодны для организации экономичного, массового производственного процесса, и сегодня исследования в этой области переведены в стадию разработок.

Новые транзисторы рассматриваются как один из вариантов изготовления будущих процессоров Intel уже в 2007 году, в рамках технологического процесса с проектной нормой 45 нанометров.

А. Т.