На главную страницу AlgoNet В сотрудничестве с ZDNet
АРХИВ СТАТЕЙ 2001-11-26 на главную / новости от 2001-11-26
AlgoNet.ru
поиск

 

Место для Вашей рекламы!

 

Все новости от 26 ноября 2001 г.

Терагерцевый транзистор Intel отодвигает горизонты скорости

Элемент, работающий на частоте в тысячи гигагерц, обеспечит быстродействие в сотни раз выше, чем у современных процессоров, и проложит дорогу к гораздо более мощным компьютерам.

Расплавление кремния и атомное излучение — два препятствия на пути повышения быстродействия процессоров, которые мешают Intel продолжать гонку. О том, как компания собирается их преодолеть, ее представители рассказали на состоявшейся в пятницу в Вашингтоне конференции International Electron Devices.

Участников познакомили с новой конструкцией транзисторов, которые способны работать на скоростях в сотни раз более высоких, чем элементы современных процессоров. Конструкция терагерцевого транзистора (1 ТГц = 1000 ГГц, то есть триллиону колебаний в секунду) представляет собой развитие современных конструкций с применением новых материалов, таких как диоксид циркония. При уменьшении размеров транзисторов они работают быстрее, но возрастает и ток утечки в выключенном состоянии, а для работы таких транзисторов требуется более высокое напряжение. Диоксид циркония — превосходный изолятор, который позволит понизить ток утечки и тем самым уменьшить потребляемую мощность транзисторов, сохраняя неизменным их быстродействие и рабочее напряжение. Intel утверждает, что в ближайшем будущем появятся транзисторы с рабочим напряжением, близким к 0,6 В.

Кроме того, предстоит решить еще такие проблемы, как повышение емкости, ведущее к увеличению потребляемого тока и замедлению работы транзистора, а также излучение атмосферы и корпуса, которое бомбардирует транзистор электронами и вызывает «мягкие ошибки» в элементах памяти или логических элементах. Чтобы уменьшить емкость, Intel сокращает количество проводников, расположенных рядом с транзистором. К тому же в новой конструкции после срабатывания транзистора остается меньше плавающих электронов, что делает ее более устойчивой.

За горизонтом закона Мура
Без этих инноваций было бы чрезвычайно трудно построить процессор с миллиардом транзисторов, который, согласно закону Мура, должен появиться в 2007 году. Геометрическая норма новой конструкции составит 0,045 мкм, что на две трети меньше современной, а тактовая частота приблизится к терагерцу. Если бы не понижение потребляемой мощности, обеспечиваемое новой конструкцией, она бы выделяла более полукиловата энергии на квадратный сантиметр — эта энергетическая плотность выше, чем у ядерного реактора, и составляет серьезную проблему даже для самого отчаянного оверклокера. 

 Предыдущие публикации:
2001-10-02   Производство микропроцессоров проходит через медные трубы
2001-10-15   Выбор материала для будущих чипов: кремний или пластмасса?
2001-10-22   Intel освещает путь к более быстродействующим чипам
2001-11-16   30-летие микропроцессорной революции
 В продолжение темы:
2001-12-03   IBM представит новый транзистор
2001-12-06   Транзистор и пустота
2002-01-18   Intel обещает поразить нас через полгода
2002-02-27   210-ГГц транзисторы IBM подстегнут сети
2002-07-10   Закон Мура еще поработает, утверждает его создатель
Обсуждение и комментарии
CHOP
26 Nov 2001 6:02 PM
ох и напился же я поэтому поводу
 

Сергей
27 Nov 2001 7:25 AM
И я тоже. Вот до чего Интел доводит.
 

eXOR
27 Nov 2001 5:59 PM
А у меня похмелье. Потому, что мне AMD приятственнее...
 

W
27 Nov 2001 11:38 PM
Ничего хорошего не вижу. Опять отстаем. Пока строем светло демократическое будущее, катимся в технологическую жопу.
 

 

← октябрь 2001 21  22  23  24  26  27  28  29  30 декабрь 2001 →
Реклама!
 

 

Место для Вашей рекламы!