Все новости от 26 ноября 2001 г.
Терагерцевый транзистор Intel отодвигает горизонты скорости

Элемент, работающий на частоте в тысячи гигагерц, обеспечит быстродействие в сотни раз выше, чем у современных процессоров, и проложит дорогу к гораздо более мощным компьютерам.
Расплавление кремния и атомное излучение — два препятствия на пути повышения быстродействия процессоров, которые мешают Intel продолжать гонку. О том, как компания собирается их преодолеть, ее представители рассказали на состоявшейся в пятницу в Вашингтоне конференции International Electron Devices.
Участников познакомили с новой конструкцией транзисторов, которые способны работать на скоростях в сотни раз более высоких, чем элементы современных процессоров.
Конструкция терагерцевого транзистора (1 ТГц = 1000 ГГц, то есть триллиону колебаний в секунду) представляет собой развитие современных конструкций с применением новых материалов, таких как диоксид циркония. При уменьшении размеров транзисторов они работают быстрее, но возрастает и ток утечки в выключенном состоянии, а для работы таких транзисторов требуется более высокое напряжение. Диоксид циркония — превосходный изолятор, который позволит понизить ток утечки и тем самым уменьшить потребляемую мощность транзисторов, сохраняя неизменным их быстродействие и рабочее напряжение. Intel утверждает, что в ближайшем будущем появятся транзисторы с рабочим напряжением, близким к 0,6 В.
Кроме того, предстоит решить еще такие проблемы, как повышение емкости, ведущее к увеличению потребляемого тока и замедлению работы транзистора, а также излучение атмосферы и корпуса, которое бомбардирует транзистор электронами и вызывает «мягкие ошибки» в элементах памяти или логических элементах.
Чтобы уменьшить емкость, Intel сокращает количество проводников, расположенных рядом с транзистором. К тому же в новой конструкции после срабатывания транзистора остается меньше плавающих электронов, что делает ее более устойчивой.
За горизонтом закона Мура
Без этих инноваций было бы чрезвычайно трудно построить процессор с миллиардом транзисторов, который, согласно закону Мура, должен появиться в 2007 году. Геометрическая норма новой конструкции составит 0,045 мкм, что на две трети меньше современной, а тактовая частота приблизится к терагерцу. Если бы не понижение потребляемой мощности, обеспечиваемое новой конструкцией, она бы выделяла более полукиловата энергии на квадратный сантиметр — эта энергетическая плотность выше, чем у ядерного реактора, и составляет серьезную проблему даже для самого отчаянного оверклокера.
Предыдущие публикации:
В продолжение темы:
 | CHOP 26 Nov 2001 6:02 PM |
ох и напился же я поэтому поводу |
|
 | Сергей 27 Nov 2001 7:25 AM |
И я тоже. Вот до чего Интел доводит. |
|
 | eXOR 27 Nov 2001 5:59 PM |
А у меня похмелье. Потому, что мне AMD приятственнее... |
|
 | W 27 Nov 2001 11:38 PM |
Ничего хорошего не вижу. Опять отстаем. Пока строем светло демократическое будущее, катимся в технологическую жопу. |
|
|