На главную страницу AlgoNet В сотрудничестве с ZDNet
АРХИВ СТАТЕЙ 2001-11-29 на главную / новости от 2001-11-29
AlgoNet.ru
поиск

 

Место для Вашей рекламы!

 

Все новости от 29 ноября 2001 г.

Новая конструкция транзисторов

В конце ноября корпорация Intel сообщила о разработке транзисторов принципиально новой конструкции и создании новых материалов для их изготовления. Речь идет о так называемых “транзисторах на обедненной подложке” (depleted substrate transistor) и “высокоизолирующем диэлектрике К-затвора” (high k gate dielectric). Транзисторы нового типа будут называться терагерцовыми (Intel TeraHerz), так как число их переключений в секунду превысит триллион.

Устройства размещаются на сверхтонкой кремниевой подложке поверх изолирующего слоя. От традиционной компоновки “кремний на изоляторе” эта подложка отличается прежде всего тем, что изготавливается из обедненного материала, позволяющего генерировать максимальный ток возбуждения при включенном транзисторе, что повышает скорость выполнения переключений.

При выключенном же транзисторе утечка тока снижается до минимума — этому способствует тончайший изолирующий слой. Таким образом, утечка тока в транзисторе на обедненной подложке в 100 раз ниже аналогичного показателя устройств, скомпонованных по традиционной схеме.

Еще одним новшеством являются контакты с низким сопротивлением, встроенные в верхнюю часть полупроводникового слоя. Благодаря этому транзистор отличается чрезвычайно малыми размерами, высоким быстродействием и низким энергопотреблением.

По сравнению с диоксидом кремния “высокоизолирующий диэлектрик К-затвора” более чем в 10 тыс. раз снижает утечку тока через затвор, поскольку изготавливается на основе принципиально новой технологии, названной “атомно-послойным осаждением” и позволяющей наращивать материал послойно. При этом толщина такого слоя не превышает одной молекулы.

На практике это означает рост производительности, снижение тепловыделения, значительное продление сроков службы батарей питания мобильных устройств. Intel планирует приступить к промышленному внедрению компонентов новой конструкции уже в 2005 г.

 

← октябрь 2001 21  22  23  24  26  27  28  29  30 декабрь 2001 →
Реклама!
 

 

Место для Вашей рекламы!