Все новости от 12 декабря 2005 г.

Подсистема памяти от Intel и STMicroelectronics

Компания STMicroelectronics и корпорация Intel объявили о совместном производстве подсистем флэш-памяти, предназначенных для снижения расходов OEM-производителей мобильных телефонов. Это позволит быстрее выводить на рынок мобильные телефоны с более богатыми функциональными возможностями. Стремясь упростить конструкцию памяти для мобильников, обе компании предоставят аппаратные и программные средства на базе совместных спецификаций. В результате производители мобильных телефонов смогут сократить время разработки новой продукции, снизить издержки и осуществить быстрый и экономичный переход к использованию нового поколения модулей флэш-памяти на базе технологии NOR, выпускаемых этими двумя компаниями.

Первой NOR-продукцией, спроектированной и выпущенной компаниями на базе совместных спецификаций, стали 512-Мбит модули, изготовленные по передовой 90-нанометровой производственной технологии и использующие технологию многоуровневых ячеек (Multi-Level Cell, MLC). Сегодня эта продукция поставляется обеими компаниями. Совместная спецификация на подсистемы памяти будет распространена и на 65-нанометровую производственную технологию, на основе которой планируется выпустить MLC NOR-модули емкостью 1 Гбит.