Все новости от 5 апреля 2005 г.

Samsung начал производство памяти нового поколения

Компания Samsung Electronics 24 марта объявила о начале массового производства памяти нового поколения, предназначенной для применения в серверах и рабочих станциях. Это полностью буферизированные модули (FB DIMM), сделанные по технологии DDR2.

Были представлены образцы FB DIMM 512 Мб и 1 Гб, которые полностью соответствуют стандарту JEDEC. Для использования как с высокоскоростными, так и с низкоскоростными интерфейсами к каждому модулю памяти был добавлен чип буфера памяти AMB (advanced memory buffer).

Его пропускная способность составляет от 3,2 до 4,8 Гб/с. Максимальная скорость передачи данных у новой памяти FB DIMM -- 4,8 Гб/с, что в два раза превышает скорость регистровых модулей памяти предыдущего поколения DDR2-400, изготовленных по технологии DDR2-800.

Память архитектуры FB DIMM позволяет устанавливать прямые соединения, благодаря которым несколько модулей памяти могут быть подключенны к каналу памяти последовательно. Это дает возможность увеличить пропускную способность до 8 Гб/с на канал при использовании кристаллов памяти ёмкостью 512 Мб и до 32 Гб/с в случае ёмкости кристаллов 1 Гб.

А. Л.