Все новости от 19 августа 2004 г.

Прорыв SiGen в технологии напряженного кремния

Корпорация Silicon Genesis (SiGen) 16 августа объявила об успешной разработке новой технологии под названием "растяжение кремния следующего поколения ", или NGS. Фактически это метод обработки пластин напряженного кремния, особенность которого заключается в том, что кремний растягивается только по одной оси, а не по двум, как это делалось ранее. В результате удается сохранить степень мобильности носителей и снизить уровень дефектов в кристалле по сравнению с тем, который имеет место при использовании других технологий -- кремнийгерманиевой (SiGe) или “кремний на изоляторе” (SOI).

Некоторые производители интегральных схем, например Intel и Texas Instruments, успешно продемонстрировали значительные преимущества транзисторов, сформированных на кремнии, растянутом по одной оси. Intel уже довольно давно применяет эту технологию в производстве транзисторов для процессоров по проектным нормам 90 нм. Однако до сих пор это было возможно только на локальном уровне.

Ожидается, что стоимость разработанного Silicon Genesis процесса будет значительно ниже, чем бирадиального, поскольку он не предусматривает дорогостоящие этапы выращивания тонких слоев кремния на германии и их отжига.

А. Л.