Все новости от 28 сентября 2001 г.

Samsung наращивает производительность RDRAM

Повышение быстродействия и плотности памяти сделает высокопроизводительные ПК на базе процессоров Intel Pentium 4 еще более мощными. Продукт Samsung нацелен также на рабочие станции и серверы. Кроме того, компания утверждает, что в производстве новые микросхемы памяти дешевле современных RDRAM. Это поможет преодолеть один из главных недостатков технологии Rambus — ее дороговизну. В настоящее время ПК с памятью RDRAM примерно на 100 $ дороже систем аналогичной конфигурации с памятью SDRAM. Массовое производство новых микросхем RDRAM планируется начать во втором квартале будущего года.

Плотность размещения данных в новой микросхеме доведена до 567 Мбит на кристалл, а тактовая частота до 1066 МГц — вместо 256 Мбит и 800 МГц соответственно у современных RDRAM. Чипы, вероятно, будут помещаться в модули RDRAM с однорядным расположением выводов (RIMMы) емкостью в 1 Гбайт и выше. В то же время более быстродействующая память, по-видимому, будет поддерживать ускоренную системную шину Pentium 4 533 МГц, которую Intel планирует освоить в будущем году. Сейчас передача данных между процессором Pentium 4 и памятью осуществляется по шине с тактовой частотой 400 МГц. Все эти усовершенствования позволят RDRAM обслуживать данные в четыре раза быстрее по сравнению с самой быстродействующей стандартной памятью double data rate SDRAM 266 МГц.

Однако, несмотря на повышенное быстродействие, память RDRAM прививалась медленно из-за производственных задержек и высокой первоначальной цены. Это привело к тому, что сейчас данная технология используется лишь на высокопроизводительных системах Pentium 4. Для наиболее дешевых массовых моделей систем Pentium 4 производители ПК выбирают стандартную SDRAM, используя ее совместно с недавно выпущенным Intel чипсетом 845.

Samsung планирует удешевить микросхемы RDRAM, в частности за счет применения передового производственного процесса с технологической нормой 0,12 мкм. Это позволит уменьшить размер кристаллов и разместить большее их число на одной кремниевой пластине — диске диаметром 8 дюймов, лежащем в основе производства кремниевых микросхем.

Новые элементы RDRAM следуют тому плану, который Rambus изложила в июне. В течение четырех лет компания намерена довести тактовую частоту RDRAM до 1,2 ГГц, что обеспечит пропускную способность до 9,6 Гбайт/с.

 В продолжение темы:

Обсуждение и комментарии

	3AHYDA - maradtchat.ru 18 Dec 2001 3:09 PM
Я не доктор, но думаю, что в статье 2(две) ошибки: <<быстрее по сравнению с самой быстродействующей стандартной памятью double data rate SDRAM 266 МГц.>> DDR SDRAM 333 МГц уже стандартизована. <<В течение четырех лет компания намерена довести тактовую частоту RDRAM до 1,2 ГГц, что обеспечит пропускную способность до 9,6 Гбайт/с.>> Похоже, гигабиты с гигабайтами здесь перепутались... Вот