На главную страницу AlgoNet В сотрудничестве с ZDNet
АРХИВ СТАТЕЙ 1999-5-20 на главную / новости от 1999-5-20
AlgoNet.ru
поиск

 

Место для Вашей рекламы!

 

Все новости от 20 мая 1999 г.

Фильм на кристалле: новое достижение в области технологии памяти

Группа ученых, сформированная компанией Hitachi в Кембриджском университете, объявила о создании технологии малопотребляющих запоминающих устройств, способных хранить все кадры изображения и звук полнометражного фильма.

«Запоминающее устройство на основе фазового состояния малого числа электронов (дырок) (Phase State Low Electron(hole)-number Drive Memory —PLEDMTM) стало первым ощутимым результатом работы лаборатории Hitachi Cambridge Laboratory (HCL) с момента ее создания в 1989 году. Оно способно не только изменить облик индустрии элементов памяти, но и произвести переворот в отраслях производства внешних запоминающих устройств для настольных и портативных ПК. Лаборатория утверждает, что оно идеально для мобильных компьютеров и телефонов, которые станут легче и экономичнее.

«Последующие доработки приведут к устранению недостатков современных элементов DRAM (быстродействующая, но высокопотребляющая память) и флэш-памяти (энергонезависимая, но медленная)», — заявили ученые. Таким образом, микросхема PLEDMTM претендует на замену как оперативной, так и внешней памяти (жесткие диски), а Hitachi приобретает чрезвычайно прочные позиции в индустрии полупроводников и запоминающих устройств.

«Это очень интересное новшество, — прокомментировал менеджер по маркетингу и продажам отделения цифровой техники компании Agfa Ник Монгстон (Nick Mongston). — Оно перевернет весь рынок. Если на такую микросхему можно записать целый фильм, то трудно даже представить, что можно будет вытворять с другими формами данных и изображений. Например, можно будет взять фотокамеру в отпуск на целый месяц, не заботясь о перезаписи снимков». Монгстон добавил, что новое устройство меняет не только способ применения аппаратуры, но и ее габариты, так как исключает необходимость в жестких дисках.

По размеру элемент PLEDMTM не больше обычного транзистора, а время чтения/записи для него не превышает 10 нс. Профессор микроэлектроники Кембриджского университета Гарун Ахмед (Haroon Ahmed) подтвердил, что PLEDMTM несомненно станет «коммерчески эксплуатируемым результатом» HCL — это лишь вопрос времени. В заявлении HCL говорится: «PLEDMTM составит основу многогигабитной микросхемы памяти, которую планируется выпустить в начале нового столетия». «Это значительный шаг на пути к наращиваемой ячейке памяти на базе малого числа электронов, — добавил профессор Ахмед. — Со временем он приведет к созданию быстродействующих технологий с использованием единственного электрона».

 

← апрель 1999 14  17  18  19  20  21  24  25  26 июнь 1999 →
Реклама!
 

 

Место для Вашей рекламы!