|
 Все новости от 4 декабря 1998 г.
IBM повысит оперативность памяти
Отделение IBM Microelectronics Division намерено привести быстродействие памяти в соответствие с производительностью микропроцессоров. Оно обнародовало план выпуска запоминающих устройств, поддерживающих новый стандарт DDR (double data rate).
Проект согласуется с объявлением, сделанным одиннадцатью производителями микросхем DRAM (динамическое ПЗУ), в том числе компаниями Fujitsu Microelectronics, Micron Electronics, Mitsubishi Electronics America, NEC USA и Samsung Electronic America, которые также намерены ввести технологию удвоенной скорости передачи данных в новые микросхемы SDRAM (synchronous DRAM).
Разработанный и утвержденный Объединенным техническим советом по электронным устройствам института IEEE стандарт DDR SDRAM призван удовлетворить растущую потребность современных микропроцессоров в повышенной пропускной способности оперативной памяти.
Планируемые новинки
Микросхемы памяти на основе технологии DDR появятся в середине 1999 года и будут конкурировать с технологией системной шины памяти RDRAM (Rambus dynamic RAM) компании Rambus, которую поддерживает Intel. Устройства RDRAM также должны появиться в середине 1999 года.
По словам официальных представителей IBM, технология DDR будет присутствовать в изделиях компании в течение следующих пяти лет. В конце будущего года должны появиться микросхемы 128MB DDR SDRAM, изготовленные по 0,175-мкм технологии, а на 2001 год запланирован выпуск микросхем 256MB DDR SDRAM на основе 0,15-мкм технологии. Сейчас IBM готовит образцы 0,20-мкм микросхем 256MB DDR SDRAM, массовое производство которых начнется в середине 1999 года. Кроме того, изготавливаются прототипы 0,20-мкм микросхем 64MB DDR SDRAM.
|
